小米10亮相即成為新晉“帶貨王”，帶火GaN（氮化鎵）充電器、WiFi6等配置的同時(shí)也將推動(dòng)行業(yè)的硬件升級(jí),GaN作為一種新半導(dǎo)體材料，給充電器帶來(lái)了無(wú)法想象的效果。

GaN器件可以實(shí)現(xiàn)比硅器件快100倍的開(kāi)關(guān)速度。硅半導(dǎo)體器件向前推進(jìn)可以實(shí)現(xiàn)200K開(kāi)關(guān)頻率，而以納微GaN產(chǎn)品為例，單管已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)20M的開(kāi)關(guān)頻率。被小米10 Pro充電器采用的納微半導(dǎo)體65W氮化GaN方案，開(kāi)關(guān)頻率僅設(shè)計(jì)在500K左右，是傳統(tǒng)硅器件的6-7倍的速度，但其優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)非常顯著了。

GaN從IR做第一個(gè)功率器件到現(xiàn)在已歷時(shí)15年以上，而2018年后GaN器件才真正進(jìn)入一個(gè)大批量量產(chǎn)的過(guò)程。目前GaN功率器件玩家主要有兩類，一類是基于IR“基因”的初創(chuàng)公司，另一類是功率半導(dǎo)體巨頭們，不過(guò)每一家在技術(shù)路線上都有明顯的差異，且每一家都在走嘗試性路線。相比硅半導(dǎo)體方面，GaN方案在體積、效率等方面優(yōu)勢(shì)明顯。在價(jià)格方面，由于GaN器件的量還沒(méi)有起來(lái)，所以價(jià)格是傳統(tǒng)硅器件的2倍以上，但是可以預(yù)見(jiàn)在未來(lái)的2-3年，GaN器件價(jià)格將以每年20%-30%下降，因此會(huì)迅速逼近硅器件的成本，這也是GaN迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。

在消費(fèi)領(lǐng)域納微GaN產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)已得以體現(xiàn)，去年累計(jì)出貨量實(shí)現(xiàn)150萬(wàn)顆。隨著GaN器件在手機(jī)以及筆記本電腦領(lǐng)域滲透率進(jìn)一步提升，我們認(rèn)為GaN器件今年在消費(fèi)市場(chǎng)總體出貨量會(huì)在1500-2000萬(wàn)顆。

服務(wù)器電源、數(shù)據(jù)中心電源、5G基站電源這三大領(lǐng)域的共同特點(diǎn)是，需要省電、效率需提升、功率等級(jí)不是很大，而這恰符合GaN工作的范疇。

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